FQP44N10 N沟道 100V 43.5A 优势MOS场效应管 贴片SOP8
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-9-17 | 浏览次数:
FQP44N10 N沟道 100V 43.5A 优势MOS场效应管 贴片SOP8
FQP44N10型号 | FQP44N10品牌 | FQP44N10封装 | FQP44N10年份 | FQP44N10数量 |
FQP44N10 | 仙童 | TO-220 | 18+ | 10000 |
FDP33N25 N沟道 250V 33A 优势MOS场效应管 贴片SOP8
FQP44N10的描述
这款N沟道增强型功率MOSFET
采用安森美半导体专有的平面条纹和DMOS技术生产。
这种先进的MOSFET技术专门用于降低导通电阻,
并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
这些器件适用于开关模式电源,
有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司 企业网站:www.xjsic.com 联系人:陈静萍 电话:0755-23940365 传真:0755-88600656 企业QQ:3007014622 地址:广东省深圳市福田区华强北都会轩4511
FDP2532
FQP5N90
FQP2N40
FDP2710
FDP61N20
FDP8880
FDP085N10A
FDP150N10A
FDP5800
FDP80N06
FDP8447L
FQP33N10
FDP030N06
FDP047N08
FQP19N20C
FDP8860
FDP032N08B
FDP52N20
FQPF7N65C
FDP8874
FQP22N30
FDP100N10
FDP090N10
FDP12N50
FDP15N40
数据列表
FQP44N10;
TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装
1,000
包装
管件
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
QFET®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
43.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
39 毫欧 @ 21.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
62nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
146W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3