NDT452AP 30V5A P沟道MOS管 3W SOT223 FAIRCHILD仙童
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-7-5 | 浏览次数:
NDT452AP 30V5A P沟道MOS管 3W SOT223 FAIRCHILD仙童
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
NDT452AP | FAIRCHLD仙童 | SOT223 | 原装 |
FGD3N60LSD 600V6A 40W 234ns 晶体管 TO-252 FAIRCHILD仙童
NDT452AP的一般说明
功率SOT P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产
这种高密度工艺专门用于最大限度地降低通态电阻并提供卓越的开关性能
这些器件特别适用于笔记本电脑电源管理和直流电机控制等低压应用
NDT452AP的绝对最大额定值
NDT452AP的特征
-5A,-30V
RDS(ON)= 0.065W @ VGS = -10V
RDS(ON)= 0.1W @ VGS = -4.5V
高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)
广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
NDT452AP的电气特性
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