FDB150N10 15mΩ 100V57A TO263(D2PAK) N沟道 MOSFET
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-1-16 | 浏览次数:
FDB150N10 15mΩ 100V57A TO263(D²PAK )N沟道 MOSFET
FDB150N10型号 | FDB150N10品牌 | FDB150N10封装 | FDB150N10备注 |
FDB150N10 | FAIRCHILD仙童 | TO263(D²PAK) | 原装正品 |
7806CD2T 35V8mA ST意法 TO263(D2PAK)稳压IC
FDB150N10的特征:
•RDS(on)=12mΩ(典型值)@ VGS = 10V,ID = 49A
-RDS (on) = 12mΩ (typical) @ VGS = 10V, ID = 49A
•快速切换
-Fast switching
•低门电荷
-Low door charge
•高性能沟道技术,极低的RDS(on)
-High-performance trench technology, very low RDS (on)
•高功率和电流处理能力
-High power and current handling capability
•符合RoHS标准
-RoHS compliant
FDB150N10的MOSFET最大额定值:
FDB150N10的描述:
这款N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺制造
-This N-Channel MOSFET is manufactured using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process
专门为减小导通电阻而设计,同时保持卓越的开关性能
-Designed to reduce on-resistance, while maintaining superior switching performance
FDB150N10的机械尺寸:
FDB150N10的应用:
DC到DC转换器/同步整流
-DC to DC Converter / Synchronous Rectification
FDB150N10的峰值二极管恢复dv / dt测试电路和波形:
一般信息
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规格
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FDD3670同系列产品
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