STB120N4LF6 40V80A N沟道 功率MOS管 TO263 ST意法
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-5-10 | 浏览次数:
STB120N4LF6 40V80A N沟道 功率MOS管 TO263 ST意法
STB120N4LF6型号 | STB120N4LF6品牌 | STB120N4LF6封装 | STB120N4LF6备注 |
STB120N4LF6 | ST意法 | TO263 | 全新原装正品 |
NGB8204NT4G 点火IGBT 18安培 400伏特 ON安森美 D2Pak(TO263)
STB120N4LF6的特征:
■逻辑电平驱动器
■100%雪崩测试
内部示意图
STB120N4LF6的应用:
■切换应用程序
- 汽车
D²PAK(TO-263)机械数据:
D²PAK(TO-263)图纸
D²PAK占地面积(a)
STB120N4LF6的描述:
该产品是基于ST专有STripFET™技术的
40 V N沟道STripFET™VI功率MOSFET,具有新的栅极结构。
得到的功率MOSFET在所有封装中呈现最低的RDS(on)。
D²PAK(TO-263)磁带和卷轴机械数据
D²PAK(TO-263)和DPAK(TO-252)
D²PAK(TO-263)和DPAK(TO-252)的卷轴
一般信息
|
规格
|
企 业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
电 话:0755-23940365
传 真:0755-88600656
Q Q:3343956557
联 系 人 :吴小姐
手 机:13590334401
地 址:深圳市福田区华强北都会轩1913