IRF1324S 24V240A N沟道 功率MOS管 IR整流器 场效应管 D2Pak(TO263-7)
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-5-14 | 浏览次数:
IRF1324S 24V240A N沟道 功率MOS管 IR整流器 场效应管 D²Pak(TO263-7)
IRF1324S型号 | IRF1324S品牌 | IRF1324S封装 | IRF1324S备注 |
IRF1324S | IR整流器 | D²Pak(TO263-7) | 全新原装正品 |
FQB22P10 FAIRCHILD仙童100V22V N沟道 功率MOS管 D2PAK(TO-263AB)
IRF1324S的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复性雪崩允许达到Tjmax
无铅,符合RoHS
符合汽车要求*
绝对最大额定值
IRF1324S的描述:
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,
采用最新的处理技术,以实现每硅面积极低的导通电阻。
此设计的其他功能是175°C的结点工作温度,
快速切换速度和改进的重复性雪崩等级。
这些功能相结合,使这种设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的设备。
D²Pak - 7引脚封装外形(尺寸以毫米(英寸)显示)
D²Pak - 7针零件标记信息
D²Pak - 7针磁带和卷轴
产品详细信息
N通道功率MOSFET,12V至25V,英飞凌
Infineon的分立HEXFET®功率MOSFET系列包括表面安装和引线封装的N通道设备,
外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。最佳系统效率。
MOSFET晶体管,英飞凌
英飞凌提供庞大且全面的MOSFET设备组合,
其中包括CoolMOS,OptiMOS和StrongIRFET系列。
它们提供同类最佳性能,实现更高效率,功率密度和成本效益。
需要高质量和增强型保护功能的设计获益 符合AEC-Q101汽车工业标准的MOSFET。
产品技术参数
Attribute | Value |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 429 A |
最大漏源电压 | 24 V |
最大漏源电阻值 | 1 mΩ |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
封装类型 | D2PAK |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 7 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
最大功率耗散 | 300000 mW |
最低工作温度 | -55 °C |
系列 | HEXFET |
典型接通延迟时间 | 19 ns |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +175 °C |
典型关断延迟时间 | 86 ns |
典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V |
典型输入电容值@Vds | 7700 pF@ 19 |
高度 | 4.55mm |
晶体管材料 | Si |
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