STB155N3LH6 30V80A N沟道 功率MOS管 ST意法 TO263
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-6-26 | 浏览次数:
STB155N3LH6 30V80A N沟道 功率MOS管 ST意法 TO263
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STB155N3LH6 | ST意法 | TO263 | 全新原装正品 |
AO4438 60V8.2A AOS美国万代 SOP-8 N沟道 功率MOS管
STB155N3LH6的特征:
■100%雪崩测试
■逻辑电平驱动器
STB155N3LH6的描述:
这些器件是采用第六代STripFET™
DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。
由此产生的功率MOSFET在所有封装中呈现最低的RDS(on)。
DPAK(TO-252)机械数据
DPAK(TO-252)图纸
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