FQB11P06 60V11.4A TO263 FAIRCHILD P沟道 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-6-28 | 浏览次数:
FQB11P06 60V11.4A TO263 FAIRCHILD P沟道 功率MOS管 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQB11P06 | FAIRCHILD | TO263 | 全新原装正品 |
STB155N3LH6 30V80A N沟道 功率MOS管 ST意法 TO263
FQB11P06的描述:
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术生产。
这种先进的技术专门用于降低通态电阻,提供卓越的开关性能,
并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
这些器件非常适合低压应用,
例如汽车,DC / DC转换器以及用于便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
FQB11P06的特征:
•-11.4A,-60V,RDS(on)=0.175Ω@ VGS = -10 V.
•低栅极电荷(典型13 nC)
•低Crss(典型值45 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt能力
•最高结温为175°C
机械尺寸
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