IRF1404ZS 40V180A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-7-4 | 浏览次数:
IRF1404ZS 40V180A TO263 N沟道 功率MOS管 IR整流器
IRF1404ZS型号 | IRF1404ZS品牌 | IRF1404ZS封装 | IRF1404ZS备注 |
IRF1404ZS | IR整流器 | TO263 | 全新原装正品 |
FQB11P06 60V11.4A TO263 FAIRCHILD P沟道 功率MOS管 场效应管
IRF1404ZS的特征:
●先进的工艺技术
●超低导通电阻
●175°C工作温度
●快速切换
●重复雪崩允许达到Tjmax
绝对最大额定值
IRF1404ZS的描述:
该HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,
采用最新的处理技术,可实现每硅片面积极低的导通电阻。
该设计的其他特性是175°C结温工作温度,
快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。
这些特性相结合,
使该设计成为一种极其高效和可靠的设备,
可用于汽车应用和各种其他应用。
D²Pak(TO263AB)封装外形
D²Pak(TO263AB)零件标记信息
D²Pak磁带卷盘信息
企 业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
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