IRLR2908 TO-252 80V/30A PDF资料 IRLR2908 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-6-8 | 浏览次数:
IRLR2908 TO-252 80V/30A PDF资料 IRLR2908 功率MOS管 场效应管
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IRLR2908 | IR/整流器 | TO-252 | 16+ | 原装正品 |
AOB260L AOS/万代 TO-252 60V/140A AOB260L 功率MOS管 PDF资料供应
IRLR2908的特征:
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt等级
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许达到Tjmax
无铅
IRLR2908的概述:
该HEXFET®功率MOSFET采用最新的处理技术,
以实现每个硅面积的极低导通电阻。
该HEXFET功率MOSFET的附加功能是175°C结工作温度,低RθJC,
快速切换速度和改进的重复雪崩等级。
这些功能结合在一起,使这种设计成为一种非常高效可靠的设备,可用于各种应用。
D-Pak设计用于使用气相,红外或波峰焊技术进行表面贴装。
直线型(IRFU系列)用于通孔安装应用。
在典型的表面贴装应用中,功耗可达1.5瓦。
IRLR2908的绝对最大额定值:
IRLR2908的封装说明:
IRLR2908的同系列产品:
IRLR2908 | IRLR3105 | IRLR3705 | IRLR3715 | IRLR3802 |
IRLR3815 | IRLR3915 | IRLR4343 | IRLR7821 | IRFR5410 |
IRLR8503 | IRFR120N | IRFR1205 | IRFR3303 | IRFR3704 |
IRL3103S | IRL3104S | IRLR2705 | IRLR2905 | IRLR3714 |
IRFR3711 | IRFR3717 | IRFR3803 | IRFR4105 | IRFR6215 |
电子产品广泛用于:
IRLR2908的一般信息
数据列表
IRLR2908PbF, IRLU2908PbF;
标准包装
75
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
*IRLR2908PBF
64-4073PBF
64-4073PBF-ND
SP001567410
IRLR2908的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
33nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1890pF @ 25V
Vgs(最大值)
±16V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
120W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 23A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
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