FDPF10N60NZ 600V TO-220F 功率MOS管 PDF资料 场效应管 原装
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-10-18 | 浏览次数:
FDPF10N60NZ 600V TO-220F 功率MOS管 PDF资料 场效应管 原装
FDPF10N60NZ型号 | FDPF10N60NZ品牌 | FDPF10N60NZ封装 | FDPF10N60NZ年份 | FDPF10N60NZ备注 |
FDPF10N60NZ | 仙童 | TO-220F | 16+ | 原装正品 |
PHT4NQ10T 3.5A100V SOT223 N沟道增强型场效应晶体管 NXP恩智浦
FDPF10N60NZ的特征:
•RDS(on)=0.64Ω(典型值)@ VGS = 10V,ID = 5A
•低栅极电荷(典型值23nC)
•低Crss(典型值10pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•提高了dv / dt的能力
•ESD改善能力
•符合RoHS标准
FDPF10N60NZ的概述:
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。
这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻,提供卓越的开关性能,
并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
这些器件非常适用于高效开关电源和有源功率因数校正。
FDPF10N60NZ的应用:
•LCD / LED / PDP电视
• 灯光
• 不间断电源供应
FDPF10N60NZ的MOSFET最大额定值TC = 25oC,除非另有说明:
FDPF10N60NZ的热特性:
FDPF10N60NZ的封装说明:
FDPF10N60NZ的同系列产品:
FDPF10N60NZ | FQPF20N06 | FQPF22N30 | FQPF9N90C | FQPF16N25C |
FQPF85N06 | FDPF770N15A | FQPF19N20 | FQPF27N25 | FQPF33N10 |
FQPF32N20C | FQPF13N06L | FQPF7N60C | FQPF5N80 | FQPF7N60 |
FQPF2N60C | FQPF9N50C | FQPF13N50C | FQPF12N60 | FQPF4N60C |
FQPF8N60C | FQPF10N60C | FQPF11N40C | FDPF190N15A | FQPF65N06 |
电子产品广泛用于:
FDPF10N60NZ的一般信息
数据列表
FDP(F)10N60NZ;
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
UniFET-II™
FDPF10N60NZ的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1475pF @ 25V
Vgs(最大值)
±25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
750 毫欧 @ 5A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
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