IRF1310NSTRLPBF IR代理 TO-263 100V/42A IRF1310NS 场效应管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-10-19 | 浏览次数:
IRF1310NSTRLPBF IR代理 TO-263 100V/42A IRF1310NS 场效应管 MOS管
IRF1310NS型号 | IRF1310NS品牌 | IRF1310NS封装 | IRF1310NS年份 | IRF1310NS备注 |
IRF1310NS | IR/镇流器 | TO-263 | 16+ | 原装正品 |
MC33074ADG 30A22V SOIC14 单电源3.0 V至44 V运算放大器 ON安森美
IRF1310NS的特征:
先进工艺技术 Advanced Process Technology
表面贴装(IRF1310NS) Surface Mount (IRF1310NS)
薄型通孔(IRF1310NL) Low-profile through-hole (IRF1310NL)
175°C工作温度 175°C Operating Temperature
快速切换 Fast Switching
全雪崩评级 Fully Avalanche Rated
IRF1310NS的概述:
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现每个硅面积的极低导通电阻。
这一优势结合了HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,
为设计人员提供了一种非常高效可靠的器件,可用于各种应用。
D2Pak是一种表面贴装电源封装,能够容纳高达HEX-4的模具尺寸。
它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和最低的导通电阻。
D2Pak适用于高电流应用,因为其内部连接电阻较低,
并且在典型的表面贴装应用中可以消散高达2.0W。
通孔版本(IRF1310NL)可用于低调应用。
IRF1310NS的绝对最大额定值:
IRF1310NS的热阻:
IRF1310NS的封装说明:
IRF1310NS的同系列产品:
IRF1310NS | IRF3710S | IRF1104S | IRF3205S | IRF3205ZS |
IRF4104S | IRF5210S | IRF9530NS | IRF9540NS | IRL1004S |
IRL1104S | IRL2203NS | IRL2505S | IRL3502S | IRL8113S |
IRF5305S | IRF540NS | IRF630NS | IRF640NS | IRF8010S |
IRFS4620 | IRFS5620 | IRF3709S | IRF3711ZS | IRL530NS |
电子产品广泛用于:
IRF1310NS的一般信息
数据列表
IRF1310NS/LPbF;
标准包装
1
包装
剪切带(CT)
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
IRF1310NSTRLPBFCT
IRF1310NS的规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1900pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),160W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
36 毫欧 @ 22A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
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