FDS6298 仙童 SOP-8 30V N沟道 PDF资料 场效应管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-12-13 | 浏览次数:
FDS6298 仙童 SOP-8 30V N沟道 PDF资料 场效应管 MOS管
FDS6298型号 | FDS6298品牌 | FDS6298封装 | FDS6298年份 | FDS6298备注 |
FDS6298 | 仙童 | SOP-8 | 16+ | 原装正品 |
74AHC32D NXP/恩智浦 SOP-14 PDF资料 四路2输入 逻辑ic
FDS6298的特征:
13 A,30 V RDS(ON)=9mΩ@ VGS = 10 V
RDS(ON)=12mΩ@ VGS = 4.5V
低栅极电荷(10nC @ VGS = 5 V)
非常低的米勒电荷(3nC)
低Rg(1欧姆)
符合RoHS标准
FDS6298一般描述
此N沟道MOSFET专为提高使用同步或常规开关
PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率而设计。
它针对低栅极电荷,低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
FDS6298绝对最大额定值TA = 25°C 除非另有说明:
FDS6298热特性:
FDS6298包装标记和订购信息:
FDS6298封装说明:
FDS6298编带说明:
FDS6298同系列产品:
FDS6298 | FDS3692 | FDS3692 | FDS6930 | FDS6612A |
FDS6614A | FDD3670 | FDD3672 | FDD8796 | FDD5680 |
FDS4953 | FDS3672 | FDD5612 | FDD5614 | FDS6576 |
FDS6572A | FDS6575 | FDS6574A | NDS9936A | FDS4897C |
FDS4895 | FDS4895C | FDS6680A | FDS6680S | FDS4935A |
电子产品广泛用于:
FDS6298一般信息
数据列表
FDS6298;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDS6298规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
14nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1108pF @ 15V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
9 毫欧 @ 13A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
QQ:1144020760
地址:广东省深圳市福田区华强北都会轩1913