AO4806 AOS万代 PDF资料 SOP-8 20V N沟道 晶体管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-12-14 | 浏览次数:
AO4806 AOS万代 PDF资料 SOP-8 20V N沟道 晶体管 MOS管
AO4806型号 | AO4806品牌 | AO4806封装 | AO4806年份 | AO4806备注 |
AO4806 | AOS/万代 | SOP-8 | 16+ | 原装正品 |
DALC208SC6 SOT-23-6 5V 低电容二极管阵列 ST意法
AO4806的特征:
VDS(V)= 20V
ID = 9.4A(VGS = 10V)
RDS(ON)<14mΩ(VGS = 10V)
RDS(ON)<15mΩ(VGS = 4.5V)
RDS(ON)<21mΩ(VGS = 2.5V)
RDS(ON)<30mΩ(VGS = 1.8V)
ESD额定值:2000V HBM
100%UIS测试
100%Rg经测试
AO4806概述:
AO4806采用先进的沟道技术,
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
他们提供从1.8V到12V的宽门驱动范围的操作。
这是ESD保护。 该器件适用于单向或双向负载开关,通过其共漏配置。
The AO4806 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They
offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for
use as a uni-directional or bi-directi onal load switch, facilitated by its common-drain configuration.
AO4806绝对最大额定值TA = 25°C 除非另有说明:
AO4806热特性:
AO4806丝印及标签说明:
AO4806同系列产品:
AO4806 | AO4807 | AO4812 | AO4813 | AO4815 |
AO4817 | AO4818 | AO4821 | AO4822 | AO4826 |
AO4828 | AO4830 | AO4832 | AO4838 | AO4840 |
AO4842 | AO4850 | AO4852 | AO4854 | AO4862 |
AO4882 | AO4884 | AO4886 | AO4892 | AO4914 |
电子产品广泛用于:
AO4806一般信息
数据列表
AO4806;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装
3,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列
-
AO4806规格
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
14 毫欧 @ 9.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
17.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1810pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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