HGT1S7N60C3DS 14A600V TO263 超快速二极管 FAIRCHILD
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2017-12-14 | 浏览次数:
HGT1S7N60C3DS 14A600V TO263 超快速二极管 FAIRCHILD
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HGT1S7N60C3DS | FAIRCHILD仙童 | TO263 | 原装正品 |
AO4806 AOS万代 PDF资料 SOP-8 20V N沟道 晶体管 MOS管
HGT1S7N60C3DS的特征:
在TC = 25℃时,14A,600V At TC = 25 ° C, 14A, 600V
•600V开关SOA能力 600V switch SOA capability
•典型下降时间140ns,TJ = 150oC Typical fall time 140ns, TJ = 150oC
•短路额定值 Short circuit rating
•传导损耗低 Low conduction loss
•超高速反并联二极管 Very high speed anti-parallel diode
HGT1S7N60C3DS描述:
HGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3D和HGT1S7N60C3DS是MOS门控高压开关器件,
结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。
这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。
较低的通态压降在25oC到150oC之间变化不大。
使用的IGBT是发展型TA49115。 与IGBT反并联使用的二极管是发展型TA49057。
该IGBT非常适用于许多高频率开关应用,在中等频率下工作,这些应用中必须要有低导通损耗,
如:交流和直流电机控制,电源和螺线管,继电器和接触器的驱动器。
HGT1S7N60C3DS的测试电路和波形:
电感式开关测试电路
切换测试波形
一般信息
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规格
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主营产品
FAIRCHILD/仙童:
FQP47P06 | FQPF4N60 | FQP8P10 | FQP47N06 | FQP13N50 | FQP47N06 |
FDP2572 | FDP2614 | FDP20N50 | FDP12N50 | FDP5N25 | FDP8442 |
FDPF14N30 | FDPF16N50 | FDPF12N50 | FDPF5N60 | FDPF7N60 | FDPF8N50NZ |
FDD6530 | FDD6670 | FDD6680 | FDD3670 | FDD5680 | FDD8870 |
FQD10N20 | FQD11P06 | FQD13N10 | FQD17N08 | FQD3N60 | FQD3P20TM |
FQB19N20 | FDB33N25 | FDB33N10 | FQB5N90 | FQB8N60 | FQB19N20 |
FQA11N90 | FQA19N60 | FQA20N60 | FQA9N90 | FQA6N90 | FQA18N50 |
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