STW3N150 1500V2.5A TO247 N沟道功率MOSFET ST意法 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-2-6 | 浏览次数:
STW3N150 1500V2.5A TO247 N沟道功率MOSFET ST意法 场效应管
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STW3N150的特征:
■100%雪崩测试
100% avalanche test
■本征电容和Qg最小化
The intrinsic capacitance and Qg are minimized
■高速切换
high-speed switch
■完全隔离的TO-3PF和TO-220FH塑料封装
Fully isolated TO-3PF and TO-220FH plastic packages
■TO-3PF的爬电距离为5.4mm(典型值)
TO-3PF creepage distance of 5.4mm (typical)
■TO-220FH的爬电距离> 4mm
TO-220FH creepage distance> 4mm
STW3N150的内部示意图:
STW3N150的描述:
意法半导体采用良好整合的高压MESH OVERLAY™工艺
STMicroelectronics uses a well-integrated, high-voltage MESH OVERLAY ™ process
设计出一系列性能卓越的超高压功率MOSFET
Designed a series of high performance ultra-high voltage power MOSFET
加上公司专有的边缘终端结构
Coupled with the company's proprietary edge terminal structure
使得每个区域的RDS(on)最低
Making each area RDS (on) the lowest
无与伦比的栅极电荷和开关特性
Unmatched gate charge and switching characteristics
STW3N150的TO-247绘图:
STW3N150的TO-247机械数据:
ST/意法:
L78M05 | L78M06 | L78M08 | L78M09 | L78M12 | L78M10 |
STD12N05 | STD12N06 | STD12N10L | STD15NF10T4 | STD17N06 | STD3NK60ZT4 |
STP140NF75 | STP76NF75 | STP9NK70Z | STP16N65M5 | STP32N65M5 | STP8N65M5 |
STF25NM50N | STF2NK60Z | STF32N65M5 | STF30NM60N | STF4N62K3 | STF3NK100Z |
L7805CD2T | L7806CD2T | L7808CD2T | L7812CD2T | L7815CD2T | STB155N3LH6 |
STB200NF03 | STB75NF75 | STB30N65M5 | STB14NK60Z | STB55NF03L | STB140NF75 |
LD1117DT12TR | LD1117DT18TR | LD1117DT25TR | LD1117DT33TR | LD1117DT50TR | LD1117DT33C |
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