FDS8949 仙童 SOP-8 40V/6A PDF资料 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-2-6 | 浏览次数:
FDS8949 仙童 SOP-8 40V/6A PDF资料 功率MOS管 场效应管
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FDS8949 | 仙童 | SOP-8 | 17+ | 原装正品 |
TCLT1006 70V50mA SOP-4 VISHAY 光电晶体管输出
FDS8949的特征:
VGS = 10V时,最大rDS(on)=29mΩ
VGS = 4.5V时的最大rDS(on)=36mΩ
低门电荷
高性能沟道技术,极低rDS(on)
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
FDS8949概述:
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的电源沟槽工艺制造而成,
该工艺专门针对最小化导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
这些器件非常适合低电压和电池供电的应用,
在这些应用中要求低线内功耗和快速切换
FDS8949应用
逆变器
电力供应商
FDS8949否则MOSFET的最大额定值TA = 25°C 除非另有说明:
FDS8949热特性:
FDS8949包装标记和订购信息:
FDS8949包装及编带说明:
FDS8949封装说明:
FDS8949同系列产品:
FDS8949 | FDS8947 | FDS4559 | FDS6609A | FDD5670 |
FDS8984 | FDD8880 | FDD8882 | FDS6814 | FDS6812A |
FDS6375 | FDD6796A | FDS4435A | FDD3860 | FDS9412 |
FDS8690 | FDS8638 | FDS3512 | FDD9409 | FDD6770A |
FDS6875 | FDS8447 | FDS8449 | FDS4141 | FDS4410A |
FDS8949广泛用于:
FDS8949一般信息
数据列表
FDS8949;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列
PowerTrench®
FDS8949规格
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
29 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
11nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
955pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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QQ:1144020760
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