FDN5618P PDF资料 仙童 SOT23 场效应管 功率MOS管 原装正品
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-6-15 | 浏览次数:
FDN5618P PDF资料 仙童 SOT23 场效应管 功率MOS管 原装正品
FDN5618P型号 | FDN5618P品牌 | FDN5618P封装 | FDN5618P年份 | FDN5618P备注 |
FDN5618P | 仙童 | SOT23 | 17+ | 原装正品 |
FDA28N50 500V28A FAIRCHILD仙童 TO-3P N沟道 功率MOS管
FDN5618P的特征:
-1.25A,-60V。
RDS(ON)=0.170Ω@ VGS = -10V
RDS(ON)=0.230ΩVG= -4.5V
快速切换速度
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
FDN5618P功能图:
FDN5618P概述:
这款60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高压电源沟槽工艺。
它已针对电源管理应用进行了优化。
FDN5618P应用:
DC-DC转换器
负载开关
能源管理
FDN5618P绝对最大额定值TA = 25oC除非另有说明:
FDN5618P热特性:
FDN5618P包装标记和订购信息:
FDN5618P封装及包装说明:
FDN5618P封装说明:
FDN5618P同系列产品:
FDN5618P | 74LCX125MX | FDMC8200 | FDMS7660 | 74AC273SCX |
NC7WZ07P6X | FDMS86520L | FDS6679AZ | FPF2109 | FDS6682 |
FDS6680A | FDS8876 | FDS8878 | FDS8870 | FDS8874 |
FDS6975 | FDD8647L | IRLR3103PBF | FDS4675 | FDS4672A |
FDS86141 | FDD8782 | FDD8780 | FDP8880 | FDS6911 |
FDN5618P广泛用于:
FDN5618P一般信息
数据列表
FDN5618P;
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;
标准包装
3,000
包装
标准卷带
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDN5618P规格
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
170 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.8nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
430pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SuperSOT-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
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