FQP13N10 N沟道 100V 12.8A 优势MOS场效应管 TO-220
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-9-17 | 浏览次数:
FQP13N10 N沟道 100V 12.8A 优势MOS场效应管 TO-220
FQP13N10型号 | FQP13N10品牌 | FQP13N10封装 | FQP13N10年份 | FQP13N10数量 |
FQP13N10 | 仙童 | TO-220 | 18+ | 10000 |
FDP33N25 N沟道 250V 33A 优势MOS场效应管 TO-220
FQP13N10的描述
这款N沟道增强型功率MOSFET
采用飞兆半导体专有的平面条纹和DMOS技术制造。
这种先进的MOSFET技术专门用于降低导通电阻,
并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
这些器件适用于开关模式电源,
音频放大器,直流电机控制和变量开关电源应用
FQP13N10的特征
FQP13N10绝对最大额定值
FQP13N10同系列产品
FQP10N20C | FQP3N30 | FQP11N40C | FQP6N40C | FQP60N06 |
FDP55N06 | FDP15N40 | FDP12N50 | FDP090N10 | FDP100N10 |
FQP22N30 | FDP8874 | FQPF7N65C | FDP52N20 | FDP032N08B |
FDP8860 | FQP19N20C | FDP047N08 | FDP030N06 | FQP33N10 |
FDP8447L | FDP80N06 | FDP5800 | FDP150N10A | FDP085N10A |
FQP13N10广泛应用于
一般信息
数据列表
FQP13N10;
TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装
1,000
包装
管件
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
QFET®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 6.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
16nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
450pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:陈静萍
电话:0755-23940365
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