FDP150N10 N沟道 100V 57A 优势MOS场效应管 TO-220
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-9-17 | 浏览次数:
FDP150N10规格书FDP150N10 N沟道 100V 57A 优势MOS场效应管 TO-220
FDP150N10型号 | FDP150N10品牌 | FDP150N10封装 | FDP150N10年份 | FDP150N10数量 |
FDP150N10 | 仙童 | TO-220 | 18+ | 10000 |
FQP13N10 N沟道 100V 12.8A 优势MOS场效应管 TO-220
FDP150N10的描述
这款N沟道MOSFET采用飞兆半导体公司
先进的PowerTrench®工艺生产,
该工艺经过定制,可在保持优异的开关性能的
同时最大限度地降低晶振电阻。
应用
•ATX / Server / Telecom PSU的同步整流
•电池保护电路
•电机驱动器和不间断电源
•Micor太阳能逆变器
RDS(on)=12mΩ(典型值)
@ VGS = 10 V,ID = 49 A.
快速切换速度
低栅极电荷
极低的高性能沟槽技术
RDS(on)高功率和电流处理能力符合RoHS标准
FDP150N10的绝对最大额定值
FDP150N10热特性
FDP150N10同系列产品
FDP33N25 | FQP44N10 | FQP13N10 | FDP2532 | FQP8N60C |
FQP5N80 | FQP10N60C | FQP12N60 | FQP7N60C | FQP20N06 |
FQP4N80 | FQP50N06 | FQP20N06L | FDP7N50 | FDP5N50NZ |
FDP22N50N | FDP8874 | FQP22N30 | FDP100N10 | FDP090N10 |
FDP12N50 | FDP15N40 | FDP55N06 | FQP60N06 | FQP6N40C |
FDP150N10广泛应用于
一般信息
数据列表
FDP150N10;
TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装
800
包装
管件
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 49A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
69nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4760pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:陈静萍