STD9NM60N 600V6.5A N沟道功率MOS管 70W TO-252 ST意法
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-3-20 | 浏览次数:
STD9NM60N 600V6.5A N沟道功率MOS管 70W TO-252 ST意法
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
STD9NM60N | ST意法 | TO-252 | 原装正品 |
STP8NK80Z 800V6.2A N沟道功率MOS管 30W TO-220 ST意法
STD9NM60N的描述
该系列设备采用第二代MDmesh™技术实现
这一革命性的功率MOSFET将新的垂直结构与公司的带状布局相结合
从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一
因此,它适用于要求最苛刻的高效转换器
STD9NM60N的绝对最大额定值
STD9NM60N的特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
STD9NM60N的源漏二极管
STD9NM60N的封装数据图
联系方式
深圳市轩嘉盛电子有限公司
(Shenzhen Xuan Jiasheng Electronics Co., Ltd.)
企业传真:0755-88600656
企业电话:0755-23940365
联系QQ:3007013786
联系人:吴美如 (吴小姐)
企业地址:广东省深圳市福田区华强北世纪汇都会轩4511(45楼11号房)