FQU2N100 1000V1.6A N沟道MOS管 2.5W TO-251 FAIRCHILD
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-7-26 | 浏览次数:
FQU2N100 1000V1.6A N沟道MOS管 2.5W TO-251 FAIRCHILD
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FQU2N100 | FAIRCHILD | TO-251 | 原装 |
FDA032N08 75V120A N沟道MOS管 375W TO-3PN FAIRCHILD
FQU2N100的一般说明
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产
这种先进技术专门用于最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲
这些器件非常适用于电子灯启动器和镇流器
FQU2N100的绝对最大额定值
FQU2N100的特征:
•1.6A,1000V,RDS(on)=9Ω@ VGS = 10 V.
•低栅极电荷(典型值为12 nC)
•低Crss(典型值5 pF)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt功能
•符合RoHS标准
FQU2N100的热特性
FQU2N100的封装详情
联系方式
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