FCPF11N60NT 600V 10.8A N沟道 功率MOS管 TO-220F FAIRCHILD
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-2-25 | 浏览次数:
FCPF11N60NT 600V 10.8A N沟道 功率MOS管 TO-220F FAIRCHILD
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FCPF11N60NT | FAIRCHILD | TO-220F | 原装正品 |
AO4413 30V15A P沟道 功率MOS管 3.1W SOP-8 AOS美国万代
FCPF11N60NT的描述
飞兆半导体的下一代高压超结MOSFET SupreMOS MOSFET采用深沟槽填充工艺,使其与先前的基于多epi的技术不同。 通过利用这一先进技术和精确的过程控制,SupreMOS提供世界一流的Rsp,更高的开关性能和坚固性。这款SupreMOS MOSFET符合业界对PFC,服务器/电信电源,FPD电视电源,ATX电源和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
FCPF11N60NT的MOSFET最大额定值
FCPF11N60NT的特征:
RDS(on)=0.255Ω(典型值)@ VGS = 10V,ID = 5.4A
超低栅极电荷(典型值Qg = 27.4nC)
低效输出电容
100%雪崩测试
符合RoHS标准
FCPF11N60NT的开关特性
FCPF11N60NT的漏源二极管特性
联系方式
企业传真:0755-88600656
企业电话:0755-23940365
联系QQ:3007013786
联系人:吴美如 (吴小姐)
企业地址:广东省深圳市福田区华强北世纪汇都会轩4511(45楼11号房)
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