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IRLR3110Z HEXFET系列 N沟道 MOSFET63A Vds=100V DPAK (TO-252)
来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-2-1 14:45:51 | 浏览次数: |
型号:IRLR3110Z HEXFET系列 N沟道 MOSFET63A Vds=100V DPAK (TO-252)
品牌:IR/整流器
封装:TO252
年份:17+
数量:200000PCS
备注:200000PCS
详细介绍:
IRLR3110Z HEXFET系列 N沟道 MOSFET63A Vds=100V DPAK (TO-252)
IRLR3110Z型号 | IRLR3110Z品牌 | IRLR3110Z封装 | IRLR3110Z年份 | IRLR3110Z数量 | IRLR3110Z备注 |
IRLR3110Z | IR整流器 | TO252 | 17+ | 200000pcs | 全新原装现货 |
通道类型 | N | |
最大连续漏极电流 | 63 A | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
最大栅阈值电压 | 2.5V | |
最小栅阈值电压 | 1V | |
最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
封装类型 | DPAK (TO-252) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
晶体管配置 | 单 | |
引脚数目 | 3 | |
通道模式 | 增强 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
最大功率耗散 | 140 W | |
典型接通延迟时间 | 24 ns | |
最低工作温度 | -55 °C | |
典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 4.5 V | |
典型输入电容值@Vds | 3980 pF@ 25 V | |
典型关断延迟时间 | 33 ns | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
宽度 | 6.22mm | |
晶体管材料 | Si | |
长度 | 6.73mm | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
最高工作温度 | +175 °C | |
系列 | HEXFET | |
高度 | 2.39mm |