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FDV301N FAIRCHILD N沟道 MOSFET 500 mA Vds=25V SOT-23


来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-17 14:34:00 | 浏览次数:

型号:FDV301N FAIRCHILD N沟道 MOSFET 500 mA Vds=25V SOT-23

品牌:FAIRCHILD/仙童

封装:SOT-23

年份:17+

数量:30000PCS

备注:30000PCS

发送询价

详细介绍:

 FDV301N FAIRCHILD N沟道 MOSFET 500 mA Vds=25V SOT-23

 

FDV301N型号 FDV301N品牌 FDV301N封装 FDV301N年份 FDV301N数量 FDV301N备注
FDV301N FAIRCHILD SOT-23 17+ 30000PCS 全新原装现货

 

一般信息

数据列表 FDV301N;
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;
标准包装   3,000
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.06V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) .7nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 

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