IRFB3607PBF N沟道 MOSFET IR整流器 80A Vds=75V TO-220

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IRFB3607PBF N沟道 MOSFET IR整流器 80A Vds=75V TO-220

来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2018-3-17 14:48:19 | 浏览次数：

型号：IRFB3607PBF N沟道 MOSFET IR整流器 80A Vds=75V TO-220

品牌：IR/整流器

封装：TO220

年份：17+

数量：30000PCS

备注：30000PCS

详细介绍：

IRFB3607PBF N沟道 MOSFET IR整流器 80A Vds=75V TO-220

IRFB3607PBF型号	IRFB3607PBF品牌	IRFB3607PBF封装	IRFB3607PBF年份	IRFB3607PBF数量	IRFB3607PBF备注
IRFB3607PBF	IR/整流器	TO220	17+	30000PCS	全新原装现货

一般信息

数据列表	IRF(B,S,SL)3607PBF;
标准包装	1,000
零件状态	在售
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET®

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	84nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3070pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	140W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	9 毫欧 @ 46A，10V
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

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