IRFB3607PBF 场效应管 MOSFET N沟道 75V 80A TO-220 全新现货
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2020-12-28 | 浏览次数:
IRFB3607PBF 场效应管 MOSFET N沟道 75V 80A TO-220 全新现货
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRFB3607PBF | IR | TO-220 | 原装现货 |
一般信息
数据列表 | IRFS3607PBF Datasheet; |
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标准包装 | 50 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 |
类别 | 分立半导体产品 |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列 | HEXFET® |
其它名称 | 64-0093PBF 64-0093PBF-ND SP001551746 |
规格
FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 毫欧 @ 46A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 84nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3070pF @ 50V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装图
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