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STB20NM50 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法 场效应管
来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2016-8-5 20:26:16 | 浏览次数: |
型号:STB20NM50 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法 场效应管
品牌:ST/意法
封装:TO-263
年份:15+
数量:18000PCS
备注:18000PCS
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详细介绍:
STB20NM50 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法 场效应管
型号 |
品牌 |
封装 |
备注 |
STB20NM50 |
ST/意法 |
TO-263 |
原装正品 |
一般信息
规格
FET 类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 |
标准 |
漏源极电压(Vdss) |
550V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) |
20A(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) |
250 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) |
56nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) |
1480pF @ 25V |
功率 - 最大值 |
192W |
工作温度 |
-65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装 |
封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 |
D2PAK |
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