场效应管 STB20NM60 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法

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场效应管 STB20NM60 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法

来源:轩嘉盛电子 | 发布时间:2016-8-5 20:31:19 | 浏览次数：

型号：场效应管 STB20NM60 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法

品牌：ST/意法

封装：TO-263

年份：15+

数量：18000pcs

备注：18000pcs

详细介绍：

场效应管 STB20NM60 全新MOS管 D2-PAK/TO-263 ST/意法

型号	品牌	封装	备注
STB20NM60	ST/意法	TO-263	原装正品

一般信息

数据列表	STB20NM60D
标准包装	1,000
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
产品族	FET - 单
系列	FDmesh™
其它名称	497-6193-2

规格

FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	290 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1300pF @ 25V
功率 - 最大值	192W
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK

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