FDD8880 30V13A N沟道 9mΩ 功率MOS管 TO252-3 FAIRCHILD
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-1-19 | 浏览次数:
FDD8880 30V13A N沟道 9mΩ 功率MOS管 TO252-3 FAIRCHILD
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FDD8880 | FAIRCHILD | TO252-3 | 全新原装现货 | 500000(pcs) |
74HC4066D NXP/恩智浦 SOP-14 PDF资料 逻辑IC 四路模拟开关
FDD8880的描述:
此N沟道MOSFET专为提高使用同步或
This N-Channel MOSFET is designed for increased synchronization or use
常规开关PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率而设计。
The general efficiency of a conventional switching PWM controller's DC / DC converter is designed
它针对低栅极电荷,低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
It is optimized for low gate charge, low rDS (ON) and fast switching speed
FDD8880的除非另有说明,MOSFET最大额定值TC = 25°C:
FDD8880的特征:
•rDS(ON)=9mΩ,VGS = 10V,ID = 35A
rDS (ON) = 9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A
•rDS(ON)=12mΩ,VGS = 4.5V,ID = 35A
rDS (ON) = 12mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A
•高性能沟道技术,极低的rDS(ON)
High-performance trench technology, extremely low rDS (ON)
•低门电荷
Low door charge
•高功率和电流处理能力
High power and current handling capability
FDD8880的封装说明图:
一般信息
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规格
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