FDD8882 仙童 TO-252 PDF资料 30V/55A N沟道 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-3-8 | 浏览次数:
FDD8882 仙童 TO-252 PDF资料 30V/55A N沟道 功率MOS管 场效应管
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FDD8882 | FAIRCHILD仙童 | TO-252 | 17+ | 原装正品 |
FDD86110 12.5A100V FAIRCHILD TO252 N沟道功率MOSFET
FDD8882的特征:
rDS(ON)=11.5mΩ,VGS = 10V,ID = 35A
rDS(ON)=15mΩ,VGS = 4.5V,ID = 35A
高性能沟道技术极低rDS(ON)
低门电荷
高功率和电流处理能力
RoHS合格
FDD8882应用
DC / DC转换器
FDD8882概述:
此N沟道MOSFET专为提高使用同步或常规开关
PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率而设计。
它已针对低栅极电荷,低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed
FDD8882除非另有说明,绝对最大额定值TC = 25°C:
FDD8882热特性:
FDD8882包装标记和订购信息:
FDD8882除非另有说明,电气特性TC = 25°C:
FDD8882封装说明:
FDD8882同系列产品:
FDD8882 | FDS6814 | FDS6812A | FDS6375 | FDS8812 |
FDS8813 | FDS8817 | FDD6796A | FDS4435A | FDD86102 |
FDD3860 | FDS9412 | FDS8690 | FDS8638 | FDS3512 |
FDD9409 | FDS3572 | FDD6770A | FDS5690 | FDS5692 |
FQD20N06 | FDS8447 | FDS8449 | FDS4141 | FDS4410 |
FDD8882广泛用于:
FDD8882一般信息
数据列表
FDD8882, FDU8882;
标准包装
2,500
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDD8882规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12.6A(Ta),55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
33nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs
10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1260pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds
15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
55W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11.5 毫欧 @ 35A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
QQ:1144020760
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