FDD8453 仙童 TO-252 40V PDF资料 N沟道 场效应管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-3-30 | 浏览次数:
FDD8453 仙童 TO-252 40V PDF资料 N沟道 场效应管 MOS管
FDD8453型号 | FDD8453品牌 | FDD8453封装 | FDD8453年份 | FDD8453备注 |
FDD8453 | 仙童 | TO-252 | 17+ | 原装正品 |
LM2901DR2G ON安森美 16mA18V SOIC-14 单电源四路比较器
FDD8453的特征:
VGS = 10V时,最大rDS(on)=6.7mΩ,ID = 15A
VGS = 4.5V时,最大rDS(on)=8.7mΩ,ID = 13A
典型HBM ESD保护等级> 7kV
符合RoHS标准
FDD8453芯片图:
FDD8453概述:
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的电源沟槽®工艺生产,
该工艺专门为减少导通电阻和开关损耗而量身定制。
增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压水平
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench ®
process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and switching loss.
G-S zener has been added to enhance ESD voltage level
FDD8453应用:
逆变器
同步整流器
FDD8453除非另有说明,MOSFET最大额定值TC = 25°C:
FDD8453热特性:
FDD8453包装标记和订购信息:
FDD8453包装及编带说明:
FDD8453封装说明:
FDD8453同系列产品:
FDD8453 | FDD8451 | FDD5690 | FDD86326 | FDD8896 |
FDS6961 | NDS8926 | FDS7779Z | FDS6630 | FDS9926 |
FDS8960C | FDD6688S | FDD6680A | FDD6685 | FDD6688 |
FDD6635 | FDD6637 | FDS6994S | FDS6990AS | FDS6994 |
FDS6644 | FDD3682 | FDD3680 | FDD4685 | FDS4470 |
FDD8453广泛用于:
FDD8453一般信息
数据列表
FDD8453LZ;
标准包装
2,500
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDD8453规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16.4A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
64nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs
10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3515pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds
20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),65W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
6.7 毫欧 @ 15A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-PAK(TO-252)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
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