FDD86326 仙童 TO-252 80V 规格书下载 场效应管 功率MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-4-2 | 浏览次数:
FDD86326 仙童 TO-252 80V 规格书下载 场效应管 功率MOS管
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FDD86326 | 仙童 | TO-252 | 17+ | 原装正品 |
IRLR2905 55V42A N沟道 功率MOS管 TO252 场效应管 IR整流器
FDD86326的特征:
屏蔽栅极MOSFET技术
VGS = 10 V时,最大rDS(on)= 23mΩ,ID = 8 A.
VGS = 6 V时最大rDS(on)= 37mΩ,ID = 4.6 A.
高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
在广泛使用的表面安装封装中具有高功率和电流处理能力
与竞争沟槽技术相比,Qg和Qgd非常低
快速切换速度
100%UIL测试
符合RoHS标准
FDD86326芯片图
FDD86326概述:
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的电源沟槽®工艺生产,
该工艺采用了屏蔽栅技术。 该过程针对rDS(on)进行了优化,可以改善性能和耐用性
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench ® process
that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for rDS(on), switching
performance and ruggedness
FDD86326应用:
直流 - 直流转换
FDD86326除非另有说明,MOSFET最大额定值TC = 25°C:
FDD86326热特性:
FDD86326包装标记和订购信息:
FDD86326包装及编带说明:
FDD86326封装说明:
FDD86326同系列产品:
FDD86326 | FDD8896 | FDS6961 | NDS8926 | FDS7779Z |
FDS6630 | FDS9926 | FDS8960C | FDD6688S | FDD6680A |
FDD6685 | FDD6680AS | FDD6688 | FDD6635 | FDD6637 |
FDS6994S | FDS6990AS | FDS6994 | FDS6644 | FDD3682 |
FDD3680 | FDD4685 | FDS4470 | FDS4465 | FDS8433 |
FDD86326广泛用于:
FDD86326一般信息
数据列表
FDD86326;
标准包装
2,500
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDD86326规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Ta),37A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
19nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs
10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1035pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds
50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),62W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
23 毫欧 @ 8A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-PAK(TO-252)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
QQ:1144020760
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