FDD8874 PDF资料 仙童 TO-252 30V N沟道 功率MOS管 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-4-27 | 浏览次数:
FDD8874 PDF资料 仙童 TO-252 30V N沟道 功率MOS管 场效应管
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FDD8874 | 仙童 | TO-252 | 17+ | 原装正品 |
AON7934 PDF资料 AOS万代 DFN3x3 30V N沟道 功率MOS管 场效应管
FDD8874的特征:
rDS(ON)=5.1mΩ,VGS = 10V,ID = 35A
rDS(ON)=6.4mΩ,VGS = 4.5V,ID = 35A
高性能沟道技术极低rDS(ON)
低门电荷
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
FDD8874芯片图:
FDD8874概述:
此N沟道MOSFET专为提高使用同步或常规开关
PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率而设计。
它已针对低栅极电荷,低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
FDD8874应用:
DC / DC转换器
FDD8874除非另有说明,MOSFET最大额定值TC = 25°C:
FDD8874热特性:
FDD8874包装标记和订购信息:
FDD8874封装说明:
FDD8874同系列产品:
FDD8874 | FDD8870 | FDD8876 | FDD8878 | FDS8958A |
FDS8896 | FDS7788 | FDS6892A | FDS6898A | FDS6892AZ |
FDS6890A | FDS6898AZ | FDD8445 | FDS2572 | FDZ5047N |
FDD6670A | FPF2213 | FOD817B | FQD2P40TM | FDC8602 |
FDC8602 | FDS5682 | FDD9409 | FDP8870 | FDP8874 |
FDD8874广泛用于:
FDD8874一般信息
数据列表
FDD8874, FDU8874;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDD8874规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Ta),116A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
72nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs
10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2990pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds
15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5.1 毫欧 @ 35A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
QQ:1144020760
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