FDD8445 规格书下载 仙童 40V TO-252 N沟道 场效应管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-5-12 | 浏览次数:
FDD8445 规格书下载 仙童 40V TO-252 N沟道 场效应管 MOS管
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FDD8445 | 仙童 | TO-252 | 17+ | 原装正品 |
AON7752 PDF资料 AOS/万代 DFN3x3 30V N沟道 场效应管 MOS管
FDD8445的特征:
RDS(ON)= 6.7mΩ(典型值),VGS = 10V,ID = 50A
Qg(10)= 45nC(典型值),VGS = 10V
低米勒费用
低Qrr人体二极管
UIS能力(单脉冲/重复脉冲)
符合AEC Q101
符合RoHS标准
FDD8445芯片图:
FDD8445概述:
汽车发动机控制
动力总成管理
电磁阀和电机驱动器
电子传输
分布式电源构架和VRM
12V系统的主开关
FDD8445除非另有说明,绝对最大额定值Tc = 25°C:
FDD8445热特性:
FDD8445包装标记和订购信息:
FDD8445包装及编带说明:
FDD8445封装说明:
FDD8445同系列产品:
FDD8445 | FDS2572 | FDV301N | FDZ5047N | FDD6670A |
FPF2213 | FOD817B | FDC6303N | FQD2P40TM | 74F189PC |
FDS6375 | FSQ0165RN | FDS8878 | FDS6375 | FDS5682 |
MOCD213M | FQA40N25 | FDM3622 | FDN5618P | FDD6796 |
FDS4435 | FDD86102 | FDD3860 | FDS8690 | FDS8638 |
FDD8445广泛用于:
FDD8445一般信息
数据列表
FDD8445;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
PowerTrench®
FDD8445规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
59nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4050pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8.7 毫欧 @ 50A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
电话:0755-23940365
传真:0755-88600656
手机:13670040425
QQ:1144020760
地址:广东省深圳市福田区华强北都会轩1913