库存搜索

今日特供

产品资讯

优势库存您现在的位置：首页 > >> 优势库存

STW18NM80 800V17A N沟道功率MOS管 190W TO-247 ST意法

来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2019-4-24 | 浏览次数：

STW18NM80 800V17A N沟道功率MOS管 190W TO-247 ST意法

型号	品牌	封装	备注
STW18NM80	ST意法	TO-247	原装现货

一般信息

数据列表	STx18NM80;
标准包装	30
包装	管件
零件状态	在售
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	MDmesh™

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	295 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	70nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2070pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	190W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3
封装/外壳	TO-247-3

上一篇：MC3302DR2G 线性比较器 16mA5V SOP-14 ON安森美集成IC

下一篇：STD1NK80Z-1 800V1A N沟道功率MOS管 45W TO-251 ST意法

打印本页 || 关闭窗口