NTMFS4835NT1G 30V13A N沟道MOS管 890mW DFN-5 ON安森美
型号 |
品牌 |
封装 |
备注 |
NTMFS4835NT1G |
ON安森美 |
DFN-5 |
原装正品 |
一般信息
规格
FET 类型 |
N 沟道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) |
13A(Ta),130A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) |
4.5V,11.5V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) |
3.5 毫欧 @ 30A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) |
52nC @ 11.5V |
Vgs(最大值) |
±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) |
3100pF @ 12V |
FET 功能 |
- |
功率耗散(最大值) |
890mW(Ta),62.5W(Tc) |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装 |
供应商器件封装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
封装/外壳 |
8-PowerTDFN,5 引线 |
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