BSC019N04LS 丝印019N04LS 100A 40V QFN5×6 全新现货
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2020-12-15 | 浏览次数:
BSC019N04LS 丝印019N04LS 100A 40V QFN5×6 全新现货
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
BSC019N04LS | INFINEON/英飞凌 | DFN5x6-8 | 原装现货 |
一般信息
数据列表 | BSC019N04LS; |
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标准包装 | 5,000 |
包装 | 标准卷带 |
零件状态 | 有源 |
类别 | 分立半导体产品 |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列 | OptiMOS™ |
其它名称 | 448-BSC019N04LSATMA1TR BSC019N04LSATMA1-ND SP001067012 |
规格
FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.9 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2900pF @ 20V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),78W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装图
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