STGB10NC60K 600V30A 65W ST意法 TO263(D2PAK)
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-1-11 | 浏览次数:
STGB10NC60K 600V30A 65W ST意法 TO263(D2PAK)
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STGB10NC60K | ST意法 | TO263(D2PAK) | 原装正品 |
NGB8206NT4G 20A390V TO263 150W N通道 ON安森美
STGB10NC60K的特征:
■降低电压降(Vcesat)
Reduce voltage drop (Vcesat)
■更低的CRES / CIES比率(无交叉传导敏感性)
Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction sensitivity)
■非常软的超快恢复反并联二极管
Very soft, ultrafast recovery anti-parallel diode
■短路承受时间10μs
Short-circuit withstand time of 10μs
STGB10NC60K的内部示意图:
STGB10NC60K的描述:
意法半导体采用基于专利条带布局的最新高压技术
STMicroelectronics uses the latest high-voltage technology based on the patented strip layout
设计了先进的IGBT系列PowerMESH™IGBT,性能卓越
Advanced IGBT Series PowerMESH ™ IGBTs are designed for superior performance
后缀“K”表示针对具有短路耐受能力的高频电机控制应用进行了优化的系列
The suffix "K" represents a series optimized for high frequency motor control applications with short circuit withstand
STGB10NC60K的D²PAK(TO-263)A型包装轮廓:
STGB10NC60K的D²PAK(TO-263)A型机械数据包:
ST/意法:
L78M05 | L78M06 | L78M08 | L78M09 | L78M12 | L78M10 |
STD12N05 | STD12N06 | STD12N10L | STD15NF10T4 | STD17N06 | STD3NK60ZT4 |
STP140NF75 | STP76NF75 | STP9NK70Z | STP16N65M5 | STP32N65M5 | STP8N65M5 |
STF25NM50N | STF2NK60Z | STF32N65M5 | STF30NM60N | STF4N62K3 | STF3NK100Z |
L7805CD2T | L7806CD2T | L7808CD2T | L7812CD2T | L7815CD2T | STB155N3LH6 |
STB200NF03 | STB75NF75 | STB30N65M5 | STB14NK60Z | STB55NF03L | STB140NF75 |
LD1117DT12TR | LD1117DT18TR | LD1117DT25TR | LD1117DT33TR | LD1117DT50TR | LD1117DT33C |
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