FDB150N10 100V57A N沟道 功率MOS管 D2PAK(TO-263)FAIRCHILD
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2018-5-5 | 浏览次数:
FDB150N10 100V57A N沟道 功率MOS管 D²PAK(TO-263)FAIRCHILD
FDB150N10型号 | FDB150N10品牌 | FDB150N10封装 | FDB150N10备注 |
FDB150N10 | FARICHILD | D²PAK(TO-263) | 全新原装正品 |
L6562DTR 40μA22V SOIC-8 ST意法 转换模式PFC控制器
FDB150N10的特征:
•RDS(on)=12mΩ(典型值)@ VGS = 10V,ID = 49A
•快速切换
•低门电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和电流处理能力
•符合RoHS标准
MOSFET最大额定值
FDB150N10的描述:
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产
该工艺专门针对最小化导通电阻并保持卓越的开关性能而设计
机械尺寸
一般信息
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规格
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