STF28N60M2 600V 24A TO220FP N沟道场效应管 原装现货xjsic
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2020-12-14 | 浏览次数:
STF28N60M2 600V 24A TO220FP N沟道场效应管 原装现货xjsic
| 型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
| STF28N60M2 | ST | TO-220F | 原装现货 |
一般信息
| 数据列表 | STF28N60M2; |
|---|---|
标准包装 ![]() |
50 |
包装 ![]() |
管件 ![]() |
| 零件状态 | 有源 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
| 系列 | MDmesh™ II Plus |
| 其它名称 | 497-14216-5 STF28N60M2-ND |
规格
| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 12A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 37nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1370pF @ 100V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 30W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装图(1).png)
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