BSC019N04LS 丝印019N04LS 100A 40V QFN5×6 全新现货
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2020-12-15 | 浏览次数:
BSC019N04LS 丝印019N04LS 100A 40V QFN5×6 全新现货
| 型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
| BSC019N04LS | INFINEON/英飞凌 | DFN5x6-8 | 原装现货 |
一般信息
| 数据列表 | BSC019N04LS; |
|---|---|
标准包装 ![]() |
5,000 |
包装 ![]() |
标准卷带 ![]() |
| 零件状态 | 有源 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 其它名称 | 448-BSC019N04LSATMA1TR BSC019N04LSATMA1-ND SP001067012 |
规格
| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A(Ta),100A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.9 毫欧 @ 50A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2900pF @ 20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),78W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装图
联系方式
深圳市轩嘉盛电子有限公司
(Shenzhen Xuan Jiasheng Electronics Co., Ltd.)
手机号码:13590334401
企业电话:0755-23940365
联系QQ:2839095361
联系人:吴小姐
企业地址:广东省深圳市福田区华强北世纪汇都会轩4511(45楼11号房)


