AO4406A AOS美国万代 30V/13A SOP-8 N沟道 MOS管 原装进口
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-21 | 浏览次数:
AO4406A AOS美国万代 30V/13A SOP-8 N沟道 MOS管 原装进口
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
AO4406A | AOS/美国万代 | SOP-8 |
原装进口 |
AO4406A的图片:
12CTQ040S 50V/12A 场效应管 TO-263 MOS管 资料PDF
AO4406A的概述:
该AO4406A采用先进的沟槽技术,
AO4406A 此装置适用于在SMPS高侧开关和一般用途。
AO4406A General Description:
The AO4406A uses advanced trench technology to
AO4406A provide excellent Rds(ON) with low gate charge.
AO4406A This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications.
AO4406A产品概述:
AO4406A VDS 30V
AO4406A ID (at VGS=10V) 13A
AO4406A RDS(ON)(at VGS=10V) < 11.5mΩ
AO4406A RDS(ON) (at V = 4.5V) < 15.5mΩ
AO4406A的绝对最大额定值TA= 25°C除非另有说明:
AO4406A的热特性:
AO4406A的一般信息
数据列表
AO4406A
SO8 Pkg Drawing
标准包装
3,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
-
其它名称
785-1195-2
AO4406A的规格:
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11.5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
910pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网址:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
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