IRF2101S 600V/130A IR MOS管 SOP-8 场效应管PDF
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-22 | 浏览次数:
IRF2101S 600V/130A IR MOS管 SOP-8 场效应管PDF
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IRF2101S | IR/国际整流器 | SOP-8 |
原装进口 |
AP6679GH APEC/富鼎 MOS管 P沟道场效应管 TO-252 PDF/报价
IRF2101S的图片:
IRF2101S的特征:
IRF2101S 浮动通道设计为引导操作充分运作,
以+600V耐负瞬态电压的dV / dt的免疫
IRF2101S 栅极驱动电压范围从10到20V
欠压锁定
3.3V,5V,15V和逻辑输入兼容
两个通道的传播延迟
IRF2101S 输出同相输入(IR2101)或退出与输入相位(IR2102)
IRF2101S:
Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational
to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout
3.3V, 5V, and 15V logic input compatible
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of phase with inputs (IR2102)
IRF2101S的概述:
该IR2101(S)/ IR2102(S)为高电压,
高速功率MOSFET和IGBT驱动器与不知疲倦,下垂高,低侧参考输出个声道。
IRF2101S 专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片CON-结构调查。
IRF2101S 逻辑输入与斯坦 - 准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。
IRF2101S 输出驱动器具有适用于最低驱动跨导的高脉冲电流缓冲级。
IRF2101S 浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在工作频率高达600伏的高侧配置。
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