IXTH11P50 艾赛斯 P沟道 功率MOS管 TO-247 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-22 | 浏览次数:
IXTH11P50 艾赛斯 P沟道 功率MOS管 TO-247 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IXTH11P50 | IXYS/艾赛斯 | TO-247 | 原装进口 |
ISL6700IBZ 80V/1.25A N沟道 驱动电源IC SOP-8 集成ic
IXTH11P50的图片:
IXTH11P50的特征:
国际标准封装
低RDS(on)HDMOSTM 过程
坚固的多晶硅栅单元结构
松开电感开关(UIS)额定
低封装电感
- 易于驾驶和保护
IXTH11P50的优点:
易于安装
节省空间
高功率密度
Easy to mount
Space savings
High power density
一般信息
数据列表
IXT(H,T)11P50
标准包装
30
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
-
规格
FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
750 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
4700pF @ 25V
功率 - 最大值
300W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
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