场效应管 INFINEON/英飞凌品牌 IPD036N04LG 40V/90A MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-27 | 浏览次数:
场效应管 INFINEON/英飞凌品牌 IPD036N04LG 40V/90A MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IPD036N04LG | INFINEON/英飞凌 | TO-252 | 原装进口 |
infineon/英飞凌 IPB60R380C6 600V TO-263 N沟道 场效应管
IPD036N04LG的图片:
IPD036N04LG的概述:
IPD036N04LG的特征:
•快速开关MOSFET的SMPS
•优化技术的DC/ DC转换器
•根据JEDEC1为目标应用限定)
•N沟道,逻辑电平
•优秀的栅极电荷XRDS(on)产品(FOM)
•非常低导通电阻RDS(on)
•100%雪崩测试
•无铅电镀;符合RoHS标准
IPD036N04LG Features:
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel, logic level
• Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• 100% Avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
最大额定值,在TJ= 25°C,除非另有规定:
一般信息
数据列表
IPD036N04L G
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
OptiMOS™
其它名称
IPD036N04L G-ND
IPD036N04LG
IPD036N04LGBTMA1
SP000387945
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
90A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.6 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
6300pF @ 20V
功率 - 最大值
94W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
企业:轩嘉盛电子有限公司
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