场效应管IPD50N04S4-08 infineon IPD50N04S4-08 N沟道 TO-252 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-6-28 | 浏览次数:
场效应管IPD50N04S4-08 infineon IPD50N04S4-08 N沟道 TO-252 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
IPD50N04S4-08 | INFINEON/英飞凌 | TO-252 | 原装进口 |
IPD042P03L3G P沟道 MOS管 INFINEON TO-247 场效应管
IPD50N04S4-08的图片:
IPD50N04S4-08的概述:
IPD50N04S4-08的描述:
N沟道 - 增强型
AEC合格
MSL1高达260℃的峰值回流
175°C的工作温度
绿色产品(符合RoHS)
100%雪崩测试
IPD50N04S4-08 Features:
N-channel - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
最大额定值,在TJ= 25°C,除非另有规定:
一般信息
数据列表
IPD50N04S4-08
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
OptiMOS™
其它名称
IPD50N04S4-08
IPD50N04S4-08-ND
IPD50N04S408ATMA1TR
SP000711450
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
7.9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 17µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
22.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
1780pF @ 6V
功率 - 最大值
46W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
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传真:0755-88600656
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