MOS管 FDB38N30U TO-263 N沟道 300V/38A 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-2 | 浏览次数:
MOS管 FDB38N30U TO-263 N沟道 300V/38A 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDB38N30U | FAIRCHILD/仙童 | TO-263 | 原装正品 |
AO4815 P沟道 SOP-8 AOS场效应管 MOS管 AOS代理原装正品
FDB38N30U的图片:
FDB38N30U的特征:
RDS(ON)=120毫欧(最大)@ VGS= 10V,ID =19A
低栅极电荷(类型56 NC)
低交叉(类型55)
100%的雪崩测试
符合RoHS
FDB38N30U Features:
RDS(on) = 120 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 19A
Low Gate Charge (Typ. 56 nC)
Low Crss (Typ. 55 pF)
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant
FDB38N30U的概述:
UniFETTM MOSFET是一种基于平面条形和DMOS技术飞兆半导体的高压MOSFET系列。
这MOSFET是专为降低通态电阻,
并提供更好的开关性能和较高的雪崩能量强度。
超高的UniFET MOSFET FRFETTM具有优越得多体二极管的反向恢复性能。
它的TRR小于50nsec和反向的dv / dt抗扰度分别为20V /纳秒
而正常平面MOSFET有超过200nsec和4.5V/纳秒。
因此超的UniFET MOSFET FRFET可以去除附加组件,
改善需要MOSFET的体二极管的性能改进某些应用系统的可靠性。
此dev的冰家族是适于开关功率转换器的应用,
如功率因数校正(PFC),平板显示器(FPD)电视电源,ATX和电子镇流器
FDB38N30U的应用:
不间断电源供应
LED/ LCD/ PDP电视
AC-DC电源
MOSFET最大额定值TC=25℃,除非另有说明:
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
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