AO4818 SOP-8 AOS代理 N沟道 场效应晶体管 MOS管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-4 | 浏览次数:
AO4818 SOP-8 AOS代理 N沟道 场效应晶体管 MOS管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
AO4818 | AOS/美国万代 | SOP-8 | 原装进口 |
AOS代理 AO4805 SOP-8 场效应管 双P沟道 增强型 场效应晶体管
AO4818的图片:
AO4818的概述:
该AO4818采用先进的沟槽技术,
提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。
这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。
标准产品AO4818是Pb-free(符合ROHS&索尼259规格)。
AO4818L是绿色产品订购选项。
AO4818和AO4818L是电相同。
AO4818的特征:
VDS(V)=30V
ID=8.5A(VGS =10V)
RDS(EON)<19MΩ(VGS =10V)
RDS(ON)<28mΩ(VGS= 4.5V)
绝对最大额定值TA= 25°C除非另有说明:
一般信息
数据列表
AO4818B
SO8 Pkg Drawing
标准包装
3,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 阵列
系列
-
其它名称
785-1059-2
规格
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
888pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
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