NTB6410ANT4G ON/安森美 TO-263 MOS管 TO-220 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-9 | 浏览次数:
NTB6410ANT4G ON/安森美 TO-263 MOS管 TO-220 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
NTB6410ANT4G | ON/安森美 | TO-263 | 原装正品 |
场效应管 STD12N05 TO-252 N沟道 ST/意法 MOS管
NTB6410ANT4G的特征:
低RDS(on)
高电流能力
100%的雪崩测试
这些都是其含铅量设备
Low RDS(on)
High Current Capability
100% Avalanche Tested
These are PbFree Devices
最大额定值(TJ= 25°C除非另有说明):
一般信息
数据列表
NTB6410AN, NTP6410AN
标准包装
800
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
-
其它名称
NTB6410ANT4G-ND
NTB6410ANT4GOSTR
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
76A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
13 毫欧 @ 76A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
4500pF @ 25V
功率 - 最大值
188W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:姚木明
手机:13670040425
传真:0755-88600656
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