FDD6612A TO-252 N沟道 30V 功率MOS管 FDU6612A 场效应管
来源:深圳市轩嘉盛电子有限公司 | 发布时间:2016-7-12 | 浏览次数:
FDD6612A TO-252 N沟道 30V 功率MOS管 FDU6612A 场效应管
型号 | 品牌 | 封装 | 备注 |
FDD6612A | FAIRCHILD/仙童 | TO-252 | 原装正品 |
IRFZ44NPBF IR/国际整流器 TO-220 MOS管 IRFZ44N 场效应管
FDD6612A的特征:
30 A,30 V
RDS(ON)= 20毫欧@ VGS =10V
RDS(ON)= 28毫欧@ VGS =4.5 V
低栅极电荷
快速切换
高性能沟道技术极低RDS(ON)
FDD6612A的概述:
这N沟道MOSFET经特别设计,
以提高采用同步或传统开关PWM控制器,
DC/ DC转换器的整体效率。
它已被用于低栅极电荷优化,低RDS(ON),
开关速度快和极低的RDS(ON)在一个小包装。
FDD6612A的应用:
直流/直流转换器
电机驱动
绝对最大额定值在25℃=除非另有说明:
一般信息
数据列表
FDD6612A, FDU6612A
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
FET - 单
系列
PowerTrench®
其它名称
FDD6612A-ND
FDD6612ATR
规格
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.5A(Ta),30A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
20 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
9.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
660pF @ 15V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252-3
企业:轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
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